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米辑科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200427057 | 具有电感元件之晶片结构及其制程 | 2004.12.01 | 本发明提出一种形成电感元件于保护层上的方法及其所对应的结构。其中高品质的电子元件，比如是电感元件及变 |
| 2 | TW481905 | 晶片尺寸构装及其制程 | 2002.04.01 | 一种晶片尺寸构装，包括:一晶片，具有一主动表面，而晶片主动表面之表层具有多个焊垫。一基板单元，系由一 |
| 3 | TW200408081 | 晶粒级覆晶晶片制程 | 2004.05.16 | 一种晶粒级覆晶晶片制程，至少包括下列步骤，首先要提供一晶片，接着形成一牺牲层到晶片上，然后要形成一线 |
| 4 | TW200408076 | 电路结构体 | 2004.05.16 | 一种电路结构体，包括一基底、一线路层及至少一凸块，其中线路层系配置在基底上，线路层至少具有一顶层部份 |
| 5 | TW489346 | 晶片表面安置被动元件结构及其制程 | 2002.06.01 | 一种晶片表面安置被动元件结构，包括：一晶片，此晶片包括多个半导体单元、一矽基底。一宽导线结构体，此宽 |
| 6 | TW503496 | 晶片封装结构及其制程 | 2002.09.21 | 一种晶片封装结构及其制程，系将晶片贴附于一矽基板上，并在晶片及矽基板上形成一积层线路层，其中此积层线 |
| 7 | TW513802 | 多重可选择功能积体电路模组 | 2002.12.11 | 一种记忆体电路模组，包括：一晶片、一承载基板及一印刷电路板。其中，晶片具有至少一选择焊垫及多个资料焊 |
| 8 | TW519726 | 晶片结构及其制程 | 2003.02.01 | 一种晶片结构包括一基底、一第一积层、一保护层及一第二积层。其中基底包括多个电子元件，配置在基底之表层 |
| 9 | TWI237847 | 形成电容元件于晶片上之方法及具有电容元件之晶片结构 | 2005.08.11 | 一种形成电容元件于晶片上之方法，首先形成一第一电极到一晶片之一介电层上，然后形成一保护层到介电层上及 |
| 10 | TW200511526 | 晶片结构 | 2005.03.16 | 晶片结构至少包括一基底、一线路积层、一保护层、一接垫保护金属、一打线导线接合金属、一连接线路及一被动 |
| 11 | TW200605224 | 后护层制程与形成聚合物层于晶片上之制程 | 2006.02.01 | 一种后护层制程，其例如包括下列步骤。首先，提供一晶片，而晶片例如包括至少一接垫与一保护层，其中保护层 |
| 12 | TW466725 | 多晶片构装 | 2001.12.01 | 一种多晶片构装，其包括：一第一晶片，具有多个半导体单元、多个连内内层导线、多个连外内层导线，而第一晶 |
| 13 | TW494560 | 陶瓷封装 | 2002.07.11 | 一种陶瓷封装，包括：一陶瓷基板，具有多个贯孔，贯穿陶瓷基板的上表面及下表面，且每一贯孔中分别具有一金 |
| 14 | TW554454 | 晶圆上凸块制作方法 | 2003.09.21 | 一种晶圆上凸块制作方法，至少包括下列步骤。其系先提供一晶圆，晶圆具有一主动表面，并且晶圆还具有一保护 |
| 15 | TW584950 | 晶片封装结构及其制程 | 2004.04.21 | 一种晶片封装结构及其制程，系将晶片贴附于一陶瓷基板上，并在晶片及陶瓷基板上形成一积层线路层，其中此积 |
| 16 | TWI236763 | 具有电感元件之晶片结构及其制程 | 2005.07.21 | 本发明提出一种形成电感元件于保护层上的方法及其所对应的结构。其中高品质的电子元件，比如是电感元件及变 |
| 17 | TW200537625 | 晶片接合制程 | 2005.11.16 | 一种晶片接合制程，使一第一晶片与一第二晶片接合，该第一晶片具有多数个第一接垫，该第二晶片具有多数个第 |
| 18 | TW498529 | 覆晶构装及其制程 | 2002.08.11 | 一种覆晶构装，包括：一晶片，具有一主动表面，在主动表面之表层具有多个焊垫。一基板，具有一基板表面，基 |
| 19 | 具有电容元件之晶片结构及电容元件形成于晶片上的方法 | 2011.07.01 | ||
| 20 | TWI344689 | 具有电容元件之晶片结构及电容元件形成于晶片上的方法 | 2011.07.01 | |
| 21 | TW200625524 | 位于积体电路晶片顶面之后护层内连线结构 | 2006.07.16 | 一种内连线的形成方法系将薄且细的内连线配置于位在半导体线路上之第一介电层内，而半导体线路系形成于基底 |
| 22 | TWI250598 | 具有凸块与测试垫之晶片结构 | 2006.03.01 | 一种晶片结构，包括半导体基底、多个介电层、多个线路层、保护层、金属层与至少一凸块。半导体基底具有多个 |
| 23 | TWI249822 | 具有重配置金属线路之晶片结构、晶片构装及其制程 | 2006.02.21 | 一种具有重配置金属线路之晶片结构，适用于一打线制程，而晶片结构例如包括至少一第一接点、一保护层与一重 |
| 24 | TW200603300 | 晶片结构 | 2006.01.16 | 一种晶片结构包括一半导体基底、多数层薄膜介电层、多数层薄膜线路层、一保护层、一金属线路层及至少一凸块 |
| 25 | TW200603353 | 具有重配置金属线路之晶片结构、晶片构装及其制程 | 2006.01.16 | 一种具有重配置金属线路之晶片结构，适用于一打线制程，而晶片结构例如包括至少一第一接点、一保护层与一重 |
| 26 | TW200603339 | 晶片结构及其制作方法 | 2006.01.16 | 一种晶片结构制作方法，首先，提供半导体晶圆；接着，形成底部金属层在半导体晶圆上；接着，形成具有线路图 |
| 27 | TW200601470 | 晶片构装及其制程 | 2006.01.01 | 本发明之晶片构装及其制程，系将半导体晶片之厚金属线路直接接触地大面积连接另一电路连接构件之线路，或是 |
| 28 | TW200601471 | 半导体晶片、晶片构装及晶片构装制程 | 2006.01.01 | 一种半导体晶片，适于电性连接一电路连接构件，半导体晶片包括一线路及一凸块，凸块系连接线路且适于电性连 |
| 29 | TWI245402 | 柱状焊接结构及其制程 | 2005.12.11 | 一种柱状焊接结构及其制程，柱状焊接结构系配置于晶片之焊垫上，在覆晶封装制程中，晶片可经由柱状焊接结构 |
| 30 | CN1705119A | 具有电容元件的晶片结构及电容元件形成于晶片上方法 | 2005.12.07 | 一种电容元件形成于晶片上的方法，首先要提供一晶片及一已预先制作完成的电容元件，接着要将此电容元件利用 |
| 31 | TWI236722 | 晶片结构 | 2005.07.21 | 一种晶片结构包括一半导体基底、多数层薄膜介电层、多数层薄膜线路层、一保护层、一金属线路层及至少一凸块 |
| 32 | TWI233653 | 打线于晶片之主动表面上之方法 | 2005.06.01 | 本发明提出一种能够连接打线导线于缓冲金属接垫上之晶片结构及其所对应之制作方法，其中缓冲金属接垫下可以 |
| 33 | TW200515562 | 多晶片接合结构及晶片间接合方法 | 2005.05.01 | 一种晶片间接合方法。首先系提供一第一晶片，包括一第一保护层及多个第一接垫。第一保护层具有多个开口，暴 |
| 34 | TWI231004 | 具有被动元件之晶片结构及形成被动元件于晶片结构上之方法 | 2005.04.11 | 一种形成被动元件于晶片结构上之方法，至少包括以下的步骤。首先提供一基底，接着形成多个电子元件于基底之 |
| 35 | TWI230989 | 晶片接合制程 | 2005.04.11 | 一种晶片接合制程，使一第一晶片与一第二晶片接合，该第一晶片具有多数个第一接垫，该第二晶片具有多数个第 |
| 36 | TW200504926 | 具有被动元件之晶片结构及形成被动元件于晶片结构上之方法 | 2005.02.01 | 一种形成被动元件于晶片结构上之方法，至少包括以下的步骤。首先提供一基底，接着形成多个电子元件于基底之 |
| 37 | TWI226114 | 多晶片接合结构及晶片间接合方法 | 2005.01.01 | 一种晶片间接合方法。首先系提供一第一晶片，包括一第一保护层及多个第一接垫。第一保护层具有多个开口，暴 |
| 38 | TWI225288 | 晶片结构 | 2004.12.11 | 晶片结构至少包括一基底、一线路积层、一保护层、一接垫保护金属、一打线导线接合金属、一连接线路及一被动 |
| 39 | TW200427040 | 晶片结构及其制程 | 2004.12.01 | 一种晶片结构，其主要系由基材、打线焊接垫，以及焊料焊接垫所构成。其中，基材上具有多个焊垫以及一保护层 |
| 40 | TW200427049 | 具有已预先制作完成之电子元件之晶片结构及其制程 | 2004.12.01 | 本发明提出一种形成已预先制作完成之电子元件于保护层上的方法及其所对应的结构，其中高品质之已预先制作完 |
| 41 | TW200426990 | 具有被动元件之晶片结构及其制程 | 2004.12.01 | 本发明提出一种形成被动元件于保护层上的方法及其所对应的结构。其中高品质的电子元件，比如是电阻元件及电 |
| 42 | TW200425253 | 形成电容元件于晶片上之方法及具有电容元件之晶片结构 | 2004.11.16 | 一种形成电容元件于晶片上之方法，首先形成一第一电极到一晶片之一介电层上，然后形成一保护层到介电层上及 |
| 43 | TW200425366 | 打线于晶片之主动表面上之方法 | 2004.11.16 | 本发明提出一种能够连接打线导线于缓冲金属接垫上之晶片结构及其所对应之制作方法，其中缓冲金属接垫下可以 |
| 44 | TW200421586 | 具有电容元件之晶片结构及电容元件形成于晶片上的方法 | 2004.10.16 | 一种电容元件形成于晶片上的方法，首先要提供一晶片及一已预先制作完成的电容元件，接着要将此电容元件利用 |
| 45 | TWI220170 | 晶圆电性针测方法 | 2004.08.11 | 一种晶圆电性针测方法，至少包括下列步骤。首先提供一晶圆，晶圆具有一主动表面，并且晶圆还具有一保护层及 |
| 46 | TW567590 | 电路结构体 | 2003.12.21 | 一种电路结构体，包括一基底、一线路层及至少一凸块，其中线路层系配置在基底上，线路层至少具有一顶层部份 |
| 47 | TW554483 | 液晶显示器覆晶晶片之构装结构 | 2003.09.21 | 一种液晶显示器覆晶晶片之构装结构，系具有一液晶显示器驱动晶片、一重配置线路层、一凸块底层金属层、一凸 |
| 48 | TW548745 | 晶圆上导电结构制作方法 | 2003.08.21 | 一种晶圆上导电结构制作方法，至少包括下列步骤。其系先形成一过渡层到一晶圆承载座上，其中过渡层系为介电 |
| 49 | TW541652 | 线路层制作方法 | 2003.07.11 | 一种线路层制作方法，藉由此方法适于制作一线路层于一晶圆上，而晶圆具有一第一表面及对应之一第二表面，其 |
| 50 | TW533559 | 晶片封装结构及其制程 | 2003.05.21 | 一种晶片封装结构及其制程，系将晶片贴附于一玻璃基板上，并在晶片及玻璃基板上形成一积层线路层，其具有一 |
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